Десять экс-сотрудников Samsung арестованы за кражу технологий DRAM 10-нм класса для Китая

Правоохранительные органы Южной Кореи арестовали 10 бывших сотрудников компании Samsung, которые, как утверждается, передали технологии производства памяти DRAM на основе некоего техпроцесса 10-нм класса китайской компании ChangXin Memory Technologies (CXMT). Бывшие сотрудники Samsung обвиняются в нарушении «Закона о предотвращении разглашения и защите промышленных технологий», более известного как «Закон о защите промышленных технологий».

Топ-10 смартфонов до 20 тысяч рублей (2025 год)

HUAWEI FreeBuds 7i: ставка на глубину

Смартфон HUAWEI Pura 80 Pro как универсальный инструмент тревел-фотографа

HUAWEI XMAGE 2025: мобильная фотография как полноценное окно в мир искусства

Топ-10 смартфонов до 35 тысяч рублей (2025 год)

Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»

Процессоры за 30 тысяч рублей — большой сравнительный тест

Из десяти арестованных пятеро являлись ключевыми сотрудниками подразделения разработок Samsung Electronics, включая бывшего руководителя. Остальные — бывшие руководители подразделений, отвечавших за новые разработки и исследования. По данным Asia Business Daily, после основания CXMT в 2016 году китайская компания переманила руководителей и ключевых сотрудников из Samsung Electronics, которая на тот момент была единственным предприятием, занимавшимся массовым производством DRAM 10-нм класса.

Утверждается, что утечка позволила CXMT произвести первую в Китае DRAM 10-нм уровня в 2023 году, и, по мнению прокуратуры Южной Кореи, похищенные технологии также заложили основу для прогресса китайской компании в области памяти HBM. Компания CXMT начала массовое производство памяти HBM2 в 2024 году. Ожидается, что она займёт до 15 % глобального рынка данного вида памяти, что приведёт к триллионным убыткам в корейских вонах как для Samsung, так и для национальной экономики Южной Кореи.

Сообщается, что некий «г-н А», бывший руководитель Samsung, отвечал за разработку технологии выпуска DRAM 10-нм класса для CXMT, в то время как «г-н Б», ключевой сотрудник, участвовавший в исследованиях этой технологии, предположительно скопировал информацию о производстве DRAM на одном из предприятий Samsung. Издание Chosun Daily сообщает, что «г-н Б» вручную переписал 12 страниц информации о технологии 10-нм уровня, чтобы избежать обнаружения, поскольку компании-производители полупроводников очень внимательно относятся к своей информации, поэтому копирование файлов с компьютера или их фотографирование с помощью смартфона могло бы привести к его немедленному задержанию.

Это не первый случай ареста сотрудников южнокорейских технологических компаний за кражу информации в интересах китайских компаний. В начале этого года бывший сотрудник SK hynix был задержан перед посадкой на рейс в Китай, а другой инженер был приговорён к 18 месяцам тюремного заключения за попытку продажи информации компании Huawei. В прошлом году также были арестованы два бывших руководителя Samsung по обвинению в краже конфиденциальной информации и использовании её для создания собственного завода по производству микросхем в Китае.

Однако в последнем деле фигурирует больше людей, чем в предыдущих случаях. Сообщается, что группа использовала подставные компании для передачи информации и постоянно меняла местоположение своих офисов, чтобы избежать обнаружения. Южнокорейская прокуратура также заявила, что группа старалась действовать крайне скрытно, «предполагая, что за ними может следить Национальная разведывательная служба», и даже использовала криптографию для экстренной связи.