Европа получила ключ к ангстрёмным техпроцессам будущего — Imec установит новейший EUV-сканер ASML EXE:5200

Бельгийский исследовательский центр Imec похвастался приобретением новейшего EUV-сканера компании ASML — установки TWINSCAN EXE:5200 с числовой апертурой 0,55 (High Numerical Aperture). Сканер обеспечит беспрецедентное разрешение при изготовлении полупроводниковых структур, гарантируя высокий спрос на эти технологии со стороны компаний-производителей чипов. Это позволит Европе продолжить оставаться донором техпроцессов, как и в предыдущие десятилетия.

Гид по выбору OLED-монитора в 2026 году: эволюция в деталях

Обзор Samsung Galaxy Z TriFold: тройной складной смартфон по цене квартиры в Воркуте

Компьютер месяца, спецвыпуск: эпоха отката, или Как дефицит чипов памяти влияет на выбор железа для игрового ПК

Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше

Ryzen и 16 Гбайт DDR5: как сэкономить на памяти так, чтобы не лишиться 15 % производительности

Обзор Ryzen 7 9850X3D: три процента за двадцать баксов

По оптическому разрешению новый сканер превзойдёт возможности обычных EUV-систем с NA 0,33, а также обеспечит повышенную производительность при обработке пластин, стабильность работы и скорость процессов. Система будет развёрнута в чистой комнате Imec с оборудованием для обработки 300-мм пластин и станет центральным элементом пилотной линии NanoIC, предназначенной для ускоренной разработки и отработки технологий производства чипов с техпроцессом менее 2 нм, а также для перехода в «эру ангстремов» (Ångström era).

Получение центром Imec одной из немногих таких установок в мире лишний раз подчёркивает лидерство европейских разработчиков техпроцессов в подготовке глобальной экосистемы выпуска полупроводников к следующему поколению производства логики и памяти.

Технические преимущества систем с высокой числовой апертурой (High-NA EUV) заключаются в возможности печати более мелких структур за один проход, что упрощает процессы, снижает затраты и повышает выход годных изделий по сравнению с многоэтапным процессом поочерёдного наложения масок (множественной проекции) для сканеров предыдущего поколения. Система EXE:5200 предлагает повышенную пропускную способность, лучшую точность совмещения элементов и совместимость с новыми материалами фоторезистов (включая фоторезисты на основе оксидов металлов), что критично для создания сверхплотных массивов транзисторов.

В предыдущие два года Imec и ASML активно сотрудничали в совместной лаборатории High-NA EUV в Вельдховене (Нидерланды), где уже были достигнуты мировые рекорды по разрешению линий — например, изготовлены линии шириной 16 нм за один проход. Теперь всё это будет воспроизведено в Imec на линиях, близких к коммерческим, что переводит исследования на промышленный масштаб с полной интеграцией в цепочку из сырья, обработки и метрологии.

Полная готовность системы EXE:5200 к эксплуатации ожидается к четвёртому кварталу 2026 года. До этого момента исследования в сфере High-NA EUV продолжатся в совместной лаборатории ASML–Imec в Вельдховене, обеспечивая непрерывность работ для партнёров. Установка в Imec позволит экосистеме (ведущим производителям чипов, поставщикам оборудования и материалов) получить самый ранний и наиболее полный доступ к технологиям следующего поколения. Это особенно важно для разработки энергоэффективных AI-ускорителей, высокоплотной памяти и других приложений, требующих экстремальной миниатюризации.

Стратегическое значение события подкрепляется тесным партнёрством Imec с ASML, поддержкой Европейского союза, правительств Бельгии и Нидерландов, а также финансированием через программы Digital Europe и Horizon Europe. Получение столь дорогой и уникальной системы (стоимость одной установки оценивается в сотни миллионов долларов) подтверждает роль Imec как ключевого «трамплина» для индустрии в «эру ангстремов». Технология High-NA EUV становится краеугольным камнем для продолжения закона Мура за пределами 2 нм, обеспечивая экономически оправданное масштабирование и открывая путь к чипам в масштабе A10/A7 и далее, что критично для конкурентоспособности Европы в глобальной полупроводниковой гонке.